一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计
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作者:
作者单位:

(河北科技大学信息科学与工程学院,河北石家庄 050018)

作者简介:

安胜彪(1978-),男,河北唐山人,讲师,硕士,主要从事电路与系统方面的研究

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:

河北省教育厅高等学校科学研究计划项目(Z2011230);河北科技大学理工学院教育教学改革研究项目(2010Z01)


Design of high performance voltage source with low voltage CMOS bandgap
Author:
Affiliation:

(College of Information Science and Engineering, Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang Hebei 050018, China)

Fund Project:

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    摘要:

    提出一种新型的芯片内基准电压源的设计方案,基准电压源是当代数模混合集成电路以及射频集成电路中极为重要的组成部分。为满足大规模低压CMOS集成电路中高精度比较器、数模转换器、高灵敏RF等电路对基准电压源的苛刻需要,芯片内部基准电压源大部分采用基准带隙电压源。研究并设计了一种低功耗、超低温度系数和较高的电源抑制比的高性能低压CMOS带隙基准电压源。其综合了一级温度补偿、电流反馈技术、偏置电路温度补偿技术、RC相位裕度补偿技术。该电路采用台积电(TSMC)0.18μm工艺,并利用Specture进行仿真,仿真结果表明了该设计方案的合理性以及可行性,适用于在低电压下电源抑制比较高的低功耗领域应用。

    Abstract:

    This article proposed a new design of a chip benchmark power sourse, which is a very important component of mixed signal IC and RF integrated circuit. To meet the requirement of low voltage and large-scale integrated CMOS circuit of high-precision, the use of reference source is rigors for A/D and D/A converter, high sensitive RF circuits and so on. Most parts of the benchmark source employ benchmark bandgap voltage source on chip, so a low power consumption, low temperature coefficient and high performance low pressure CMOS bandgap benchmark voltage source with higher PSRR is designed. It uses one level temperature compensation, current feedback technology, offset circuit temperature compensation technology and RC phase margin compensation technology. This circuit adopts the 0.18um process of TSMC, and uses the Specture to simulate. The simulation result verifies the feasibility and rationality of the design.The circuit can be uesd for low voltage and low power consumption with higher PSRR.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

安胜彪,侯 洁,魏月婷,陈书旺,文环明.一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计[J].河北科技大学学报,2012,33(4):325-329

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  • 收稿日期:2011-11-08
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  • 在线发布日期: 2013-08-29
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