H3-xRxSi—X键的键离解能及硅烷基自由基生成热的计算
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河北科技大学理学院;石家庄市第九中学;石家庄制药集团 河北石家庄050018;河北石家庄050000;河北石家庄050051

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中图分类号:

O621.13;

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YU Tao~1,HUO Hong-mei~2,NIU Min~3(1. College of Sciences, Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang Hebei 050018,China; 2. No.9 Middle School of Shijiazhuang, Shijiazhuang Hebei 050000,China; 3. Shijiazhuang Pharmarceutical Cooperation Ltd., Shijiazhuang Hebei 050051,China)

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    基于基团电负性用硅烷基的结构参数建立了硅烷基衍生物H3-xRxSi—X键的键离解能以及硅烷基自由基生成热的经验计算方法,利用此方法计算出了一系列H3-xRxSi—X键的键离解能,与已知的28个文献数据比较,平均偏差为4.02 kJ.mol-1,计算出来的烷基自由基的标准生成热与已知的4个文献值比较,平均偏差仅为0.30 kJ.mol-1。

    Abstract:

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引用本文

于涛,霍红梅,钮敏. H3-xRxSi—X键的键离解能及硅烷基自由基生成热的计算[J].河北科技大学学报,2005,26(3):194-196

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